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title: "三星在得州440亿美元园区加建第二座晶圆厂，台积电仍只派考察团队"
description: "10月16日，三星宣布将在得克萨斯州泰勒市建设规模更大的第二座2纳米晶圆厂；一天前，台积电刚证实自己在得州还只处于考察阶段。一家代工厂还没拿到客户就先建厂；另一家手握客户，在得州却至今没有任何建成项目。"
publisher: "The Inference"
section: "Silicon"
published: 2026-10-17T15:16:38.198Z
modified: 2026-10-17T15:16:38.198Z
canonical: https://theinference.org/article/samsung-builds-a-second-texas-fab-on-a-44-billion-site-while-tsmc-only-sends-scouts/zh-CN
language: zh-CN
keywords: "Samsung, TSMC, Semiconductors, Texas, Foundry"
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# 三星在得州440亿美元园区加建第二座晶圆厂，台积电仍只派考察团队

> 10月16日，三星宣布将在得克萨斯州泰勒市建设规模更大的第二座2纳米晶圆厂；一天前，台积电刚证实自己在得州还只处于考察阶段。一家代工厂还没拿到客户就先建厂；另一家手握客户，在得州却至今没有任何建成项目。

10月16日，[三星](https://theinference.org/markets/companies/samsung)把记者召集到得克萨斯州泰勒市建到一半的晶圆厂旁，三星奥斯汀半导体基础设施技术执行副总裁乔纳森·泰勒（Jonathan Taylor）在现场宣布，公司将在紧邻处再建一座工厂。二号厂（Fab 2）将生产2纳米芯片，规模是一号厂（Fab 1）的1.5倍，计划11月初动工、2030年建成；两座工厂全部投运后，整个园区将带来约3500个直接就业岗位[1]。与公告同步，三星还宣布在得州中部投入[2284万美元的社区与劳动力培养投资](https://www.kxan.com/news/business/new-texas-samsung-chip-plant-2nm/)，其中包括面向泰勒独立学区的职业培训项目[1]。而第一座泰勒工厂要到2026年底才能全面投运[1]。三星此前已[向该园区承诺投资440亿美元](https://theinference.org/article/samsung-s-foundry-revival-is-samsung-buying-from-samsung)[2]，如今第一座工厂还没产出完整一个季度的产量，就已着手建设第二座。

## 台积电坐拥客户，却只派人考察

就在前一天，[台积电](https://theinference.org/markets/companies/tsmc)在10月15日的第三季度财报电话会上证实，公司已[向得州派出选址评估团队](https://eastasiabrief.com/semiconductors/tsmc-weighs-texas-fab-campus-broaden-us-foundry-footprint-737)，评估在亚利桑那州之外建设第二处美国厂区的可能性；首席执行官魏哲家宣布了这项技术评估，但董事会尚未批准，用地面积与所在辖区也均未公布[2]。台积电刚交出创纪录季报：单季营收新台币1.49424万亿元，同比增长50.9%；对亚利桑那州的投资承诺达2650亿美元，其中包括7月追加承诺的1000亿美元；2026年资本开支指引为600亿美元至640亿美元[2]。

## 三星先建厂，再等客户

复杂之处在于，客户究竟握在谁手里。台积电握有[先进封装市场72.5%的份额](https://www.sammyfans.com/2026/10/16/samsung-eyes-silicon-photonics-acquisition-to-challenge-tsmc/)，三星只有5.9%[3]；[英伟达](https://theinference.org/markets/companies/nvidia)、[苹果](https://theinference.org/markets/companies/apple)和[AMD](https://theinference.org/markets/companies/amd)的大批量芯片几乎全部交给台积电生产，英伟达的[黄仁勋](https://theinference.org/markets/people/jensen-huang)表示，公司100%的核心业务都放在台积电[3]。三星公开点名的2纳米主力客户是[特斯拉](https://theinference.org/markets/companies/tesla)[3]。台积电可以从容考察，三星却必须把产能填满。三星还遭到自下而上的挤压：中国新军长鑫存储（CXMT）第二季度在全球DRAM的营收份额已从一年前的4%升至10%，而三星虽仍以38%领跑[3]。

*Chart: **三星押注代工之际，长鑫存储DRAM份额从4%跃升至10%** 2026年第二季度全球DRAM营收份额柱状图：三星38%、SK海力士25%、美光24%、长鑫存储（CXMT）10%。*

*2026年第二季度各厂商全球DRAM营收份额（单位：百分比）。数据来自Counterpoint Research，由Sammy Fans于2026年10月17日报道。 [3]*

## 设备商两头都有钱赚

台积电若真的进驻，两家代工厂将围绕同样的得州补贴和工程师展开争夺，台积电更将直接深入三星的主要生产走廊[2]。而无论花落谁家，设备开支都是顺风：国际半导体产业协会（SEMI）预计，美洲地区12英寸（300毫米）晶圆厂设备投资[将从2026年的181亿美元增至2029年的406亿美元，增幅超过一倍](https://semiengineering.com/chip-industry-week-in-review-160/)[4]；若台积电将美国版图扩展到第二个州，[应用材料](https://theinference.org/markets/companies/applied-materials)、[泛林集团](https://theinference.org/markets/companies/lam-research)和东京电子预期将获得二次安装收入，并在凤凰城与得州中部两地重复布设维护中心[2]。

## 胜负手在哪里？

接下来看两件事：一是三星能否在二号厂（Fab 2）2030年建成之前签下第二个具名2纳米客户；二是台积电的得州评估能否让“踩点”变成“动工”——这场评估走在[年度资本配置](https://theinference.org/article/goldman-lifts-tsmc-s-2028-capex-to-98-billion-while-pushing-the-texas-payoff-past-2032)之前，后者将在2027年1月的董事会会议前敲定[2]。押注这一交易的投资者需要权衡：一边是三星在440亿美元园区上的产能利用率风险，该园区的具名客户名单以特斯拉居首[2][3]；另一边是两处园区订单均已到手的设备制造商[2][4]。

## Takeaway

三星在得州泰勒的第一座工厂尚未满产时便开建第二座，而握有先进封装市场72.5%份额的台积电仍只停留在考察；交易逻辑是三星的产能利用率风险，对阵订单覆盖两处园区的设备商。

## Sources

1. [KXAN, New Texas Samsung chip plant, 2nm (16 October 2026)](https://www.kxan.com/news/business/new-texas-samsung-chip-plant-2nm/)
2. [East Asia Brief, TSMC weighs Texas fab campus to broaden US foundry footprint (17 October 2026)](https://eastasiabrief.com/semiconductors/tsmc-weighs-texas-fab-campus-broaden-us-foundry-footprint-737)
3. [Sammy Fans, Samsung eyes silicon photonics acquisition to challenge TSMC (16 October 2026)](https://www.sammyfans.com/2026/10/16/samsung-eyes-silicon-photonics-acquisition-to-challenge-tsmc/)
4. [Semiconductor Engineering, Chip Industry Week In Review (16 October 2026)](https://semiengineering.com/chip-industry-week-in-review-160/)


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三星在得州440亿美元园区加建第二座晶圆厂，台积电仍只派考察团队 — The Inference. Canonical: https://theinference.org/article/samsung-builds-a-second-texas-fab-on-a-44-billion-site-while-tsmc-only-sends-scouts/zh-CN
