Hiperescaladores definem o soquete, a Infineon entrega e a Renesas espera até meados de 2027

A Renesas respondeu à ofensiva da Infineon em energia de 800 V com um encapsulamento de nitreto de gálio (GaN) inédito no setor e capital comprometido em Kuala Lumpur. A corrida por potência nos racks ganhou enfim uma data de entrega — e as condições estão nas mãos dos compradores que definiram o footprint (a área que o componente ocupa na placa).

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Richard TangRichard Tang · 3 min read
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Módulo de semicondutor de potência aberto, mostrando chips de chaveamento, fios de ligação e barramentos de cobre dentro de uma carcaça plástica preta
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Por dentro de um módulo de semicondutor de potência: os chips de chaveamento e os fios de ligação que transportam a energia entre as etapas de conversão. Renesas e Infineon correm para colocar nitreto de gálio e carbeto de silício (SiC) nesses soquetes, nos racks de IA de 800 V.

A Renesas colocou hoje sua resposta na mesa: a primeira chave GaN de 650 volts do setor em encapsulamento de 8 x 8 mm com resfriamento pelas duas faces, 57% menor que o footprint TOLT de 10 x 15 mm, mirando o conversor que reduz os 800 volts DC para os trilhos de 48 V, 12 V e 6 V do rack. O resfriamento pelas duas faces permite que mais potência caiba no espaço escasso da placa. As amostras já estão com fabricantes de data centers de IA, e a produção em série está prevista para meados de 2027. 1

Cada etapa de conversão eliminada é o prêmio

O soquete que a Renesas persegue está sendo padronizado em fórum aberto. Google, Microsoft e Nvidia redigem os requisitos de 800 VDC no âmbito do Open Compute Project (OCP), inclusive numa frente de trabalho que transforma a energia de média tensão da rede elétrica diretamente em 800 volts DC. 2 Cada etapa de conversão entre a rede e um chip de menos de 1 V perde energia em forma de calor. É por isso que transformadores de estado sólido em carbeto de silício vêm substituindo os modelos de núcleo de ferro na entrada de energia, enquanto o GaN ocupa as etapas de comutação rápida dentro do rack. 3 O presidente da divisão de energia da Infineon, Peter Wawer, dimensiona a demanda: racks perto de 125 quilowatts hoje, 500 quilowatts na próxima geração e, depois, um megawatt em 800 VDC. 3

A potência dos racks avança de 125 quilowatts rumo a um megawatt em 800 VDC

  • Potência por rack
  • Estimate
0 kW500 kW1,000 kWRacks atuaisPróxima geraçãoMegawatt em 800 VDC125 kW
Data
Potência por rack
Racks atuais125 kW
Próxima geração (estimate)500 kW
Megawatt em 800 VDC (estimate)1,000 kW
Potência consumida por um único rack de IA, em quilowatts, conforme descrito pelo presidente da divisão de energia da Infineon, Peter Wawer. Os números além dos racks atuais são metas de demanda, não entregas. Fonte: Semiconductor Engineering.3

A Infineon entrega hoje nas duas pontas

As rivais se movimentaram na mesma semana. Em 29 de setembro, a Eaton fechou acordo para usar o carbeto de silício da Infineon em seus transformadores de estado sólido de média tensão em toda a Ásia-Pacífico, reduzindo os estágios entre a rede elétrica e o rack. 4 Em 28 de setembro, a imprensa especializada detalhou os estágios de potência bifásicos da Infineon para aceleradores — 120 amperes contínuos e 300 no pico —, já disponíveis em amostras, com entrega vertical de energia por baixo do processador. 5 O The Elec aponta Renesas, TI, Analog Devices e Monolithic Power como o pelotão perseguidor. 5

Quem definiu o footprint foram os compradores

A Renesas aposta em um caminho de fonte única para projetos em 800 V, mas as condições pertencem aos clientes. A empresa diz que o novo footprint foi definido em colaboração com grandes clientes de infraestrutura de IA para dar flexibilidade de fornecimento, de modo que qualquer fornecedor homologado possa ocupar o soquete que os compradores especificaram. 1 A especificação aberta da OCP puxa na mesma direção: equipamentos construídos segundo um padrão comum, como os servidores. 2 A substitutibilidade limita o que qualquer fornecedor pode cobrar, e os hiperescaladores e os ODMs embolsam esse benefício, vença quem vencer a disputa pelo soquete.

Acionistas da Renesas financiam a espera

O dinheiro comprometido é o da Renesas — e é o único comprometido nesta história. Em 29 de setembro, Tee Kean Soon, diretor-gerente da Renesas Semiconductor KL, disse que a fábrica na Malásia vai explorar a fabricação de produtos de IA em até dois anos, com 700 milhões de ringgits — cerca de US$ 170 milhões a uma taxa de 4,1 ringgits por dólar —, uma revelação que não veio à tona na cobertura em inglês. 67 O diretor de manufatura da Renesas aproveitou o mesmo evento para apontar para uma produção light-off, com presença humana mínima. 6 A dianteira da Infineon já aparece em parte no preço: alta de 54% no ano, mas ainda mais de um terço abaixo da máxima de junho; a Bernstein recomenda outperform, e o Morgan Stanley rebaixou a recomendação para equalweight, citando potencial de alta limitado em energia para IA. 8

As datas de teste são outubro e, depois, meados de 2027

Até esta semana, a aposta em 800 V não passava de um estado de espírito. A partir de hoje, tem uma data e um montante — o que a torna testável: a Renesas exibe os componentes na OCP Global Summit, em San Jose, de 12 a 15 de outubro, onde esse ecossistema se reúne. 1 A homologação pelos ODMs é o elo que decide se meados de 2027 se confirmam. Se o prazo se sustentar, a Renesas conquista um soquete que os compradores mantiveram deliberadamente em disputa; até lá, a Infineon fatura com as posições de entrega. Cada watt economizado na conversão vai parar no custo de um token — e é por isso que essa camada sem glamour, e as linhas malasianas que se automatizam rumo ao light-off, decidem quem lucra com a expansão da infraestrutura de IA.

Deepdive

AI-generated from this story and its cited sources. Not investment advice.

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